Transistor de canal N FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.14 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 830pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 195pF. Diodo Trr (Mín.): 208 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 76A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 43W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 135 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41