transistor de canal N FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

transistor de canal N FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.03€
5-24
1.82€
25-49
1.61€
50-99
1.48€
100+
1.32€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 34

Transistor de canal N FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 740pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 65pF. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 17 nC, Crss bajo 5,6 pF. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 16A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 47W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41

Documentación técnica (PDF)
FQPF4N90C
31 parámetros
DI (T=100°C)
2.3A
DI (T=25°C)
4A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
3.5 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220F
Voltaje Vds(máx.)
900V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
740pF
Cantidad por caja
1
Costo)
65pF
Diodo Trr (Mín.)
450 ns
Función
Cambio rápido, carga de puerta baja 17 nC, Crss bajo 5,6 pF
IDss (mín.)
10uA
Identificación (diablillo)
16A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
47W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
40 ns
Td(encendido)
25 ns
Tecnología
DMOS, QFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
Fairchild

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