Transistor de canal N FQPF8N80C, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.29 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 955pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 100pF. Diodo Trr (Mín.): 690 ns. Fecha de producción: 201432. Función: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 32A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 59W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41