Transistor de canal N FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 9.3 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 130pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 19pF. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: FQT1N60C. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.1W. Protección G-S: no. RoHS: sí. Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 7 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19