transistor de canal N FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

transistor de canal N FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.92€
5-49
0.73€
50-99
0.61€
100+
0.55€
Cantidad en inventario: 29

Transistor de canal N FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=100°C): 10.9A. DI (T=25°C): 17.2A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.046 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 480pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 175pF. Diodo Trr (Mín.): 54 ns. Función: Nivel lógico. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 68.8A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: Carga de puerta baja (tipo 9,5 nC). Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19

Documentación técnica (PDF)
FQU20N06L
30 parámetros
DI (T=100°C)
10.9A
DI (T=25°C)
17.2A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.046 Ohms
Vivienda
TO-251 ( I-Pak )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
480pF
Cantidad por caja
1
Costo)
175pF
Diodo Trr (Mín.)
54 ns
Función
Nivel lógico
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
68.8A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
38W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Spec info
Carga de puerta baja (tipo 9,5 nC)
Td(apagado)
35 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
QFET, Enhancement mode power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Fairchild