Transistor de canal N FS10TM12, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Cantidad por caja: 1. Función: Ifsm--30App. Identificación (diablillo): 30A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19