Transistor de canal N FS75R12KE3GBOSA1, 75A, otro, otro, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Vivienda: otro. Vivienda (según ficha técnica): otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 5300pF. Corriente del colector: 100A. Dimensiones: 122x62x17.5mm. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: ICRM 150A Tp=1ms. Ic (pulso): 150A. Marcado en la caja: FS75R12KE3G. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Número de terminales: 35. Pd (disipación de potencia, máx.): 355W. RoHS: sí. Td(apagado): 42us. Td(encendido): 26us. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.15V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Eupec/infineon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19