Transistor de canal N FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1380pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 140pF. Función: HIGH-SPEED SW.. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 21A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19