Transistor de canal N G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.3m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 1800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 280pF. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Función: conmutación de potencia, convertidores CC/CC. IDss (mín.): n/a. Identificación (diablillo): 200A. Marcado en la caja: G60N04K. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 6.5 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 2500. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.1V. Producto original del fabricante: Goford Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19