Transistor de canal N GT30J324, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 4650pF. Corriente del colector: 30A. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: Aplicaciones de conmutación de alta potencia. Ic (pulso): 60A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. RoHS: sí. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Td(apagado): 0.3 ns. Td(encendido): 0.09 ns. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19