Transistor de canal N GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Vivienda: TO-3P( N )IS. Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Corriente del colector: 37A. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: Aplicaciones de conmutación de alta potencia. Ic (pulso): 100A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Td(apagado): 0.51 ns. Td(encendido): 0.33 ns. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 25V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19