transistor de canal N HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V

transistor de canal N HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
12.05€
5-9
11.16€
10-29
10.08€
30+
9.30€
Cantidad en inventario: 55

Transistor de canal N HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): -. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Collector Peak Current IP [A]: 240A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 75A. Corriente del colector: 75A. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Diodo de germanio: no. Disipación máxima Ptot [W]: 463W. Familia de componentes: transistor IGBT. Función: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Ic (pulso): 240A. Marcado del fabricante: G30N60A4. Marcado en la caja: 30N60A4D. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 463W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 150 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 7V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19

Documentación técnica (PDF)
HGTG30N60A4D
38 parámetros
Vivienda
TO-247
Ic(T=100°C)
60A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247 ( AC )
Tensión colector/emisor Vceo
600V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Collector Peak Current IP [A]
240A
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
75A
Corriente del colector
75A
Diodo CE
Diodo Trr (Mín.)
30 ns
Diodo de germanio
no
Disipación máxima Ptot [W]
463W
Familia de componentes
transistor IGBT
Función
SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod
Ic (pulso)
240A
Marcado del fabricante
G30N60A4
Marcado en la caja
30N60A4D
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
463W
Retardo de desconexión tf[nseg.]
150 ns
RoHS
Td(apagado)
150 ns
Td(encendido)
25 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uce [V]
600V
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
7V
Tensión de saturación VCE(sat)
1.8V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
4.5V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
7V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
25 ns
Tipo de canal
N
Unidad de acondicionamiento
30
Producto original del fabricante
Fairchild