Transistor de canal N HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Corriente del colector: 25A. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Ic (pulso): 40A. Marcado en la caja: 5N120BND. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Td(apagado): 182 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Transistor IGBT serie NPT con diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.7V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19