Transistor de canal N HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-252AA ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 250pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 100pF. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75307D. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Harris. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19