transistor de canal N HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V

transistor de canal N HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.56€
5-24
4.03€
25-49
3.60€
50+
3.16€
+10 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Cantidad en inventario: 68

Transistor de canal N HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.065 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. : mejorado. C(pulg): 3200pF. Cantidad por caja: 1. Corriente de drenaje: 75A. Costo): 1170pF. Diodo Trr (Mín.): 105 ns. Embalaje: tubus. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75344 P. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 285W. Polaridad: unipolares. Potencia: 285W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19

Documentación técnica (PDF)
HUF75344P3
35 parámetros
Vivienda
TO-220
DI (T=25°C)
75A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.065 Ohms
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
55V
mejorado
C(pulg)
3200pF
Cantidad por caja
1
Corriente de drenaje
75A
Costo)
1170pF
Diodo Trr (Mín.)
105 ns
Embalaje
tubus
IDss (mín.)
1uA
Marcado en la caja
75344 P
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
285W
Polaridad
unipolares
Potencia
285W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
46 ns
Td(encendido)
13 ns
Tecnología
UltraFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Voltaje de fuente de drenaje
55V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Fairchild