Transistor de canal N IGW75N60H3, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 4620pF. Corriente del colector: 140A. Costo): 240pF. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Función: VCEsat muy bajo. Ic (pulso): 225A. Marcado en la caja: G75H603. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 428W. RoHS: sí. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop. Td(apagado): 265 ns. Td(encendido): 31 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.25V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tiempo de entrega: KB. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 25. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35