Transistor de canal N IHW20N135R3, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-3. Tensión colector/emisor Vceo: 1350V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1500pF. Corriente del colector: 40A. Costo): 55pF. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: Inductive?cooking. Ic (pulso): 60A. Marcado en la caja: H20R1353. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(apagado): 405 ns. Td(encendido): 335 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35