transistor de canal N IHW20N135R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V

transistor de canal N IHW20N135R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V

Cantidad
Precio unitario
1-4
6.57€
5-14
5.63€
15-29
5.16€
30-59
4.78€
60+
4.25€
Cantidad en inventario: 15

Transistor de canal N IHW20N135R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): PG-TO247-3. Tensión colector/emisor Vceo: 1350V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1360pF. Corriente del colector: 40A. Costo): 43pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Diodo de germanio: no. Función: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Ic (pulso): 60A. Marcado en la caja: H20PR5. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 288W. RoHS: sí. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Td(apagado): 235 ns. Tecnología: TRENCHSTOP TM technology. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35

IHW20N135R5
30 parámetros
Ic(T=100°C)
20A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
PG-TO247-3
Tensión colector/emisor Vceo
1350V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
1360pF
Corriente del colector
40A
Costo)
43pF
Diodo CE
Diodo Trr (Mín.)
50 ns
Diodo de germanio
no
Función
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Ic (pulso)
60A
Marcado en la caja
H20PR5
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
288W
RoHS
Spec info
Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed)
Td(apagado)
235 ns
Tecnología
TRENCHSTOP TM technology
Temperatura de funcionamiento
-40...+175°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1.65V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
1.85V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
5.1V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
6.4V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Unidad de acondicionamiento
30
Producto original del fabricante
Infineon Technologies