Transistor de canal N IHW20T120, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1460pF. Corriente del colector: 40A. Costo): 78pF. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: Soft Switching Applications. Ic (pulso): 60A. Marcado en la caja: H20T120. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 178W. RoHS: sí. Td(apagado): 560 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35