transistor de canal N IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

transistor de canal N IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
9.28€
5-14
8.60€
15-29
7.96€
30+
7.37€
Cantidad en inventario: 17

Transistor de canal N IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2589pF. Corriente del colector: 60A. Costo): 77pF. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: Aplicaciones de cocción inductiva y conmutación suave. Ic (pulso): 90A. Marcado en la caja: H30R1202. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 390W. RoHS: sí. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(apagado): 792 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35

Documentación técnica (PDF)
IHW30N120R2
28 parámetros
Ic(T=100°C)
30A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Tensión colector/emisor Vceo
1200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
2589pF
Corriente del colector
60A
Costo)
77pF
Diodo CE
Diodo de germanio
no
Función
Aplicaciones de cocción inductiva y conmutación suave
Ic (pulso)
90A
Marcado en la caja
H30R1202
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
390W
RoHS
Spec info
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Td(apagado)
792 ns
Temperatura de funcionamiento
-40...+175°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1.65V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
1.8V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
5.1V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
6.4V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Unidad de acondicionamiento
30
Producto original del fabricante
Infineon Technologies