transistor de canal N IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V

transistor de canal N IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.00€
5-24
3.47€
25-49
3.12€
50-99
2.89€
100+
2.57€
Cantidad en inventario: 87

Transistor de canal N IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 860pF. Corriente del colector: 15A. Costo): 55pF. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: IGBT de alta velocidad en tecnología NPT. Ic (pulso): 45A. Marcado en la caja: K15T60. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Td(apagado): 188 ns. Td(encendido): 17 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.05V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35

Documentación técnica (PDF)
IKP15N60T
26 parámetros
Ic(T=100°C)
15A
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220-3-1
Tensión colector/emisor Vceo
600V
C(pulg)
860pF
Corriente del colector
15A
Costo)
55pF
Diodo CE
Diodo de germanio
no
Función
IGBT de alta velocidad en tecnología NPT
Ic (pulso)
45A
Marcado en la caja
K15T60
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
130W
RoHS
Td(apagado)
188 ns
Td(encendido)
17 ns
Temperatura de funcionamiento
-40...+175°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1.5V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
2.05V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
4.1V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
5.7V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Producto original del fabricante
Infineon Technologies