Transistor de canal N IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1860pF. Corriente del colector: 50A. Costo): 96pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Diodo de germanio: no. Función: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop. Ic (pulso): 75A. Marcado en la caja: K25T120. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Td(apagado): 560 ns. Td(encendido): 50 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35