Transistor de canal N IKW50N60H3, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 116pF. Corriente del colector: 100A. Costo): 2960pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Diodo de germanio: no. Función: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Ic (pulso): 200A. Marcado en la caja: K50H603. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 333W. RoHS: sí. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop. Td(apagado): 235 ns. Td(encendido): 23 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión umbral del diodo: 1.65V. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 30. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35