Transistor de canal N IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 440pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 30pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Función: ID pulse 19A. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 19A. Marcado en la caja: 6R600E6. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: carcasa completamente aislada (2500VAC/60s). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 28W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 58 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00