Transistor de canal N IPA80R1K0CEXKSA2, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.83 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 785pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 33pF. Diodo Trr (Mín.): 520 ns. Función: ID pulse 18A. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 18A. Marcado en la caja: 8R1K0CE. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: carcasa completamente aislada (2500VAC/60s). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: -20V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00