Transistor de canal N IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Resistencia en encendido Rds activado: 2.1M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO263-7. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 214W. RoHS: sí. Tecnología: OptiMOS Power. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00