Transistor de canal N IPB020N10N5LFATMA1, D²-PAK, 100V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 840pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 313W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 60.4k Ohms. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: -. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 128 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:25