Transistor de canal N IPB80N03S4L-02, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 7500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1900pF. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Función: Automoción con certificación AEC Q101. IDss (mín.): 0.01uA. Identificación (diablillo): 320A. Marcado en la caja: 4N03L02. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: Resistencia ultrabaja. Td(apagado): 62 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00