Transistor de canal N IPB80N06S2-09, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.6m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2360pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 610pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: Automoción con certificación AEC Q101. IDss (mín.): 0.01uA. Identificación (diablillo): 320A. Marcado en la caja: 2N0609. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Resistencia ultrabaja. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00