Transistor de canal N IPD034N06N3GATMA1, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.8m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 8000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1700pF. Diodo Trr (Mín.): 48 ns. Función: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. IDss (mín.): 0.01uA. Identificación (diablillo): 400A. Marcado en la caja: 034N06N. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 63 ns. Td(encendido): 38 ns. Tecnología: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00