Transistor de canal N IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0058 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2400pF. Costo): 920pF. IDss (mín.): 0.1uA. Identificación (diablillo): 350A. Marcado en la caja: 050N03L. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 6.7 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00