Transistor de canal N IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1900pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 760pF. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Función: Logic Level, Enhancement mode. IDss (mín.): 0.01uA. Identificación (diablillo): 200A. Marcado en la caja: PN03L06. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00