Transistor de canal N IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223. Resistencia en encendido Rds activado: 6m Ohms. Vivienda (según ficha técnica): PG-SOT223. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 6.9W. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00