Transistor de canal N IRF1310N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1900pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 450pF. Diodo Trr (Mín.): 180 ns. Función: relación dinámica dv/dt, conmutación rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 140A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00