Transistor de canal N IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 249A. DI (T=25°C): 353A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2m Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 24V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 5790pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 160nC. Corriente de drenaje: 353A. Costo): 3440pF. Diodo Trr (Mín.): 46 ns. Función: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 1412A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Polaridad: unipolares. Potencia: 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 500mK/W. RoHS: sí. Td(apagado): 83 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 24V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00