transistor de canal N IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V
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Transistor de canal N IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 162A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5m Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 7360pF. Cantidad por caja: 1. Corriente de drenaje: 202A. Costo): 1680pF. Diodo Trr (Mín.): 71 ns. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 650A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Polaridad: unipolares. Potencia: 200W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 750mK/W. RoHS: sí. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 40V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00