transistor de canal N IRF1404SPBF, D²-PAK, TO-263, 40V

transistor de canal N IRF1404SPBF, D²-PAK, TO-263, 40V

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Precio unitario
1-49
7.14€
50+
5.93€
Cantidad en inventario: 276

Transistor de canal N IRF1404SPBF, D²-PAK, TO-263, 40V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 7360pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 162A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: F1404S. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 72 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22

Documentación técnica (PDF)
IRF1404SPBF
17 parámetros
Vivienda
D²-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-263
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
40V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
7360pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
200W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.004 Ohms @ 95A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
162A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
F1404S
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
72 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
17 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier