Transistor de canal N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 118A. DI (T=25°C): 169A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0046 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 5480pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 170nC. Corriente de drenaje: 133A. Costo): 1210pF. Diodo Trr (Mín.): 88 ns. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 680A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. Polaridad: unipolares. Potencia: 200W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 450mK/W. RoHS: sí. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00