Transistor de canal N IRF1405PBF, TO-220, 55V, 0.0053 Ohms, 55V. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0053 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5480pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima de drenaje: 169A. Disipación máxima Ptot [W]: 330W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 169A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRF1405PBF. Número de terminales: 3. Potencia: 150W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06