Transistor de canal N IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0037 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 4780pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 770pF. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 600A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00