transistor de canal N IRF2804, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

transistor de canal N IRF2804, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.91€
5-24
3.61€
25-49
3.36€
50-99
3.14€
100+
2.73€
Cantidad en inventario: 65

Transistor de canal N IRF2804, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.8M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 6450pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1690pF. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Función: Conmutación rápida, Aplicaciones automotrices. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 1080A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00

Documentación técnica (PDF)
IRF2804
30 parámetros
DI (T=100°C)
43A
DI (T=25°C)
75A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
1.8M Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
40V
C(pulg)
6450pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1690pF
Diodo Trr (Mín.)
56 ns
Función
Conmutación rápida, Aplicaciones automotrices
IDss (mín.)
20uA
Identificación (diablillo)
1080A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
330W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
130 ns
Td(encendido)
13 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier