transistor de canal N IRF2807SPBF, D²-PAK, TO-263, 75V

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Transistor de canal N IRF2807SPBF, D²-PAK, TO-263, 75V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 75V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3820pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 82A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: F2807S. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 49 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38

Documentación técnica (PDF)
IRF2807SPBF
17 parámetros
Vivienda
D²-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-263
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
75V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
3820pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
230W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.013 Ohms @ 43A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
82A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
F2807S
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
49 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
13 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier