Transistor de canal N IRF3205PBF, TO220AB, 55V, 55V. Vivienda: TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3247pF. Características: -. Cargar: 97.3nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 110A. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 98A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 110A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRF3205PBF. Montaje/instalación: THT. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Polaridad: unipolares. Potencia: 150W. Resistencia térmica de alojamiento: 1K/W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. RoHS: sí. Serie: HEXFET. Tecnología: HEXFET®. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06