Transistor de canal N IRF3205S, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3247pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 781pF. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Equivalentes: IRF3205SPBF. Función: Tecnología de proceso avanzada. IDss (mín.): 25nA. Identificación (diablillo): 390A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00