transistor de canal N IRF3205STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 55V

transistor de canal N IRF3205STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 55V

Cantidad
Precio unitario
1-24
2.08€
25+
1.48€
+484 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Cantidad en inventario: 1402

Transistor de canal N IRF3205STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3247pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 98A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: F3205S. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 20:56

IRF3205STRLPBF
17 parámetros
Vivienda
D²-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-263
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
55V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
3247pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
150W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.008 Ohms @ 59A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
98A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
F3205S
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
50 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
14 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier