transistor de canal N IRF3205ZPBF, TO-220AB, 55V, 0.0049 Ohm
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2.77€
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Transistor de canal N IRF3205ZPBF, TO-220AB, 55V, 0.0049 Ohm. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0049 Ohm. : mejorado. Cargar: 110nC. Corriente de drenaje: 75A. Corriente máxima de drenaje: 75A. Embalaje: tubus. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 170W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:15
IRF3205ZPBF
18 parámetros
Vivienda
TO-220AB
Tensión drenaje-fuente (Vds)
55V
Resistencia en encendido Rds activado
0.0049 Ohm
mejorado
Cargar
110nC
Corriente de drenaje
75A
Corriente máxima de drenaje
75A
Embalaje
tubus
Montaje/instalación
THT
Polaridad
unipolares
Potencia
170W
RoHS
sí
Tecnología
HEXFET®
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
N-MOSFET
Voltaje de fuente de drenaje
55V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
International Rectifier