transistor de canal N IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms
Cantidad
Precio unitario
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4.25€
5-9
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Transistor de canal N IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 150V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. : mejorado. Cargar: 133.3nC. Corriente de drenaje: 43A. Corriente máxima de drenaje: 43A. Embalaje: tubus. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 200W. Tecnología: HEXFET®. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 150V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 06:37
IRF3415PBF
16 parámetros
Tensión drenaje-fuente (Vds)
150V
Resistencia en encendido Rds activado
0.042 Ohms
mejorado
Cargar
133.3nC
Corriente de drenaje
43A
Corriente máxima de drenaje
43A
Embalaje
tubus
Montaje/instalación
THT
Polaridad
unipolares
Potencia
200W
Tecnología
HEXFET®
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
N-MOSFET
Voltaje de fuente de drenaje
150V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies