Transistor de canal N IRF3710PBF, TO220, 100V, 100V. Vivienda: TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3130pF. Características: -. Cargar: 86.7nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 57A. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 57A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 57A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRF3710PBF. Montaje/instalación: THT. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Polaridad: unipolares. Potencia: 200W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. RoHS: sí. Serie: -. Tecnología: HEXFET®. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42