transistor de canal N IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

transistor de canal N IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-49
4.16€
50+
2.72€
Cantidad en inventario: 280

Transistor de canal N IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3130pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 57A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: F3710S. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:06

Documentación técnica (PDF)
IRF3710SPBF
17 parámetros
Vivienda
D²-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-263
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
100V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
3130pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
200W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.023 Ohms @ 28A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
57A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
F3710S
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
45 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
12 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier