Transistor de canal N IRF3710Z, TO220, TO220AB. Vivienda: TO220, TO220AB. Acondicionamiento: tubus. Cargar: 82nC. Corriente de drenaje: 59A. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 160W. Resistencia térmica de alojamiento: 920mK/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:15